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Während sich bei Samsung bereits 256 Mbit und 512 Mbit DDR2-Speicherchips in der Serienproduktion befinden und in nicht mehr allzu ferner Zukunft auf zahlreichen Modulen im Handel erwartet werden, kündigte der Halbleiterspezialist bereits die nächste Stufe an. So sollen weitere Speichermodule auf Basis von 1 Gb DDR2-Chips mit Kapazitäten von bis zu 2 GB und Frequenzen von 400, 533 und 667 MHz produziert werden. Zudem werden Module von ein oder zwei Gigabyte Größe, bestückt mit entweder 16 oder 32 Chips zu jeweils 512 Mbit Kapazität, die Produktlinie ergänzen.

Zur Zeit sind von den 19 verschiedenen DDR2-Speichervarianten bereits 12 für Intels zukünftige Systeme validiert. Das Unternehmen geht davon aus, dass sich der Anteil von DDR2-Speicher von derzeit rund 10 Prozent laut ersten Prognosen von Marktforschungsinstituten bis auf 66 Prozent bis 2006 erhöht. Bis dahin wolle man die eigenen Produktion stetig steigern, um den aktuellen Marktanteil von circa 30 Prozent halten zu können. Als ersten Schritt verlagerte man die 0,10 µm Fertigung der 1-Gb-DDR2-Chips in die Fab 12 in Hwasung-kun, Süd-Korea, wo sie auf 300 Millimeter Wafern gefertigt werden sollen.
[rl]